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DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)

更新時間:2026-09-15 點擊量:161

DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)

DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管,具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度(V-T)曲線,因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。

DT640-BC型裸片溫度計,相比市場上的其它溫度計,具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。  您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技",可以看到我們的淘寶店鋪,聯(lián)系更加方便!

特點:

※ 激勵電流小,因而具有很小的自熱效應(yīng);

※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線,具有良好的互換性;

※ 多種封裝,不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝;

※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi),可提供較好的測量精度;

※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線;

※ 多種可選封裝方式。

參數(shù):

※ 溫度范圍:3K~500K;

※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線:DT640

※ 推薦激勵電流:10µA±0.1%;

※ 可重復(fù)性:10mK@4.2K,16mK@77K,75mK@273K。

※ 反向電壓高達:75V;

※ 損壞前電流高達:長時間200mA 或瞬間1A;

※ 推薦激勵下的功率耗散:20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K;

※ BC封裝響應(yīng)時間:10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K;

※ 輻射影響:只推薦在低輻射場合下使用;

※ 磁場影響:不推薦在磁場環(huán)境下使用。

典型相應(yīng)曲線以及靈敏度

DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)

DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)

DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)

封裝形式以及外形尺寸:

為滿足不同用戶使用條件的需求,錦正茂可以提供多種形式結(jié)構(gòu)類型的溫度計封裝以及尺寸,下面幾種均為常見的封裝形式和其具體尺寸。我們也可以按照客戶需求進行設(shè)計。

MS:帶公制螺絲    BO:線軸封裝    PI:管式封裝     BC:裸片  

DT640硅二極管溫度傳感器技術(shù)參數(shù)


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