二維亥姆霍茲線圈的均勻區大小沒有固定的通用數值，核心由單組線圈的幾何尺寸、線圈構型（圓形/方形）以及均勻度判定閾值決定，它的均勻區是兩組正交單軸亥姆霍茲線圈均勻區的重疊部分，整體范圍和同尺寸單軸亥姆霍茲線圈的均勻區量級一致，僅在平面內的覆蓋范圍更均衡。

對于經典圓形構型的二維亥姆霍茲線圈，當兩組線圈都嚴格遵循“線圈間距等于線圈半徑"的*優設計時，中心區域的均勻區通常呈近似橢球形，在兩個正交軸線構成的平面內，滿足磁場相對偏差小于1%~5%的有效均勻區直徑，約為單組線圈半徑的1/3~1/2，軸向延伸范圍約為線圈間距的20%~30%。舉個常見的實驗室規格例子，半徑10cm的圓形二維亥姆霍茲線圈，中心平面內的有效均勻區直徑約3~5cm，垂直于平面的軸向有效范圍約2~3cm，*全可以覆蓋常規的小型磁傳感器、薄膜樣品等測試對象。

如果是方形構型的二維亥姆霍茲線圈，均勻區形態為近似立方體或長方體，有效均勻區的體積比同尺寸圓形線圈更大，通過優化線圈間距和繞線排布，均勻區邊長可以做到1米甚至數米，專門適配大尺寸樣品的二維磁場測試需求，比如大型電子設備的平面磁場抗擾度測試、大尺寸二維磁傳感器陣列標定等場景。

實際使用中，均勻區的有效范圍還會受線圈加工精度、兩組線圈的正交對位誤差、驅動電流穩定性的影響，如果線圈加工存在匝間錯位、兩組線圈軸線沒有嚴格垂直，實際有效均勻區會比理論設計值縮小10%~30%，磁場均勻度偏差也會相應增大。